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nulldimensionale Anteile der Realstruktur oder Fehlordnung von Einkristallen. Sie können struktureller Art und substanzieller Art sein. Strukturdefekte sind Leerstellen, Zwischengitterplätze und, bei Verbindungen, Atome auf den falschen Untergitterplätzen, sog. Antisitedefekte. Substanzielle Punktdefekte liegen vor, wenn Fremdatome auf Gitter- oder Zwischengitterplätzen vorhanden sind oder wenn Anreicherungen einer Komponente wie bei den Guinier-Preston-Zonen vorliegen. Die Bildungsenergie ED eines Defektes bestimmt die Konzentration, in der die Defekte vorliegen, und beträgt einige Elektronenvolt. Die Konzentration bestimmt sich zu:
und hat bei der Züchtungstemperatur praktisch immer einen erheblichen Wert. Mit fallender Temperatur wird die Konzentration bis zu einer Temperatur abnehmen, bei der die Atome durch Diffusion und Platzwechselvorgänge nicht mehr die Gleichgewichtskonzentration erreichen können. Darunter liegen sie dann in einer konstanten Konzentration vor. In Halbleiterkristallen wirken Punktdefekte drastisch auf die elektro-optischen Eigenschaften ein und sind wesentlicher Gegenstand der Charakterisierung dieser Materialien. Kristallbaufehler. |
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