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bedeutet im Bereich der Kristallzüchtung die Feststellung der kristallinen und chemischen Qualität der hergestellten Kristalle. Dazu dienen Untersuchungen zur Zusammensetzung und Reinheit der Kristalle sowie die Bestimmung der strukturellen Abweichung vom Idealzustand. Ein Kubikzentimeter Silicium enthält z.B. 5,14·1022 Gitterplätze. Eine vollständige Charakterisierung würde über jeden Platz eine Aussage, ob und mit welchem Atom er besetzt ist, verlangen, was unmöglich ist. So beschränkt sich die Aussage bei Spurenangaben von Verunreinigungen und Dotierstoffen auf Bereiche von ppb (parts per billion=10-9) über ppm (parts per million=10-6) bis zu Prozent. Für die kristalline Perfektion wird im allgemeinen etwas über den Mosaikspread, die Verkippung von kristallinen Bereichen (Korngrenzen), der Menge von Versetzungen oder die Konzentration von Punktdefekten ausgesagt. Dabei orientiert sich der Aufwand der Charakterisierungsuntersuchungen an der Stärke, mit der die relevanten Baufehler auf die gewünschten Eigenschaften einwirken. |
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