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Wachstumsfront

 
     
  Grenzfläche zwischen Nährphase und Kristall, an der der Einbau der Kristallbausteine erfolgt. Hier laufen alle wesentlichen kinetischen Prozesse des Kristallwachstums ab. Egal welche Verfahren verwendet werden, ob Kristallzüchtungen aus der Schmelze (Schmelzzüchtung), Kristallzüchtung aus Lösungen oder Kristallzüchtung unter Mikrogravitation, beim Bridgman-Stockbarger-Verfahren (Bridgman-Verfahren), Czochralski-Verfahren oder dem gerichteten Erstarren, immer wird das Ziel sein, eine vom Kristall her gesehen konvexe oder zumindest ebene Wachstumsfront zu erzeugen, um entstehende Baufehler nach aussen auswachsen zu lassen. Der Stofftransport vor der Wachstumsfront erfolgt durch Konvektion und Diffusion und erzwingt über den Gleichgewichtsverteilungskoeffizienten einen experimentellen Temperaturgradienten zur Vermeidung der konstitutionellen Unterkühlung. Ist dies nicht garantiert oder die Kristallisationsrate zu hoch, können Einschlüsse von Fremdpartikeln oder Lösungsmittel in den Kristall erfolgen, da sie nicht abtransportiert werden, oder im schlimmsten Fall kann dendritisches Wachstum auftreten.  
 

 

 

 
 
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