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Multischichtstruktur

 
     
  auf Substraten aufgebrachte Abfolge kristalliner Schichten unterschiedlicher Zusammensetzung mit meist ähnlicher Gitterstruktur (Abb.). Aus der Struktur des Leistungstransistors mit kompakten Bereichen, die eine elektrische n- und p-Leitung aufweisen, wurde im Zuge der Miniaturisierung und Integrierung auf dem Mikrochip eine mikroskopische Struktur, die, aufgebracht mittels kristalliner, leitender und amorpher isolierender Schichten, die elektrisch- oder optisch-aktiven Bauelemente enthält. Die Prozessierung der Schichten nimmt den überwiegenden Herstellungsaufwand ein. Elektrooptische Bauelemente wie Leuchtdioden oder Laserdioden benötigen heutzutage nur noch die Aufeinanderfolge von dünnen kristallinen Schichten, mit denen der p-n-Übergang hergestellt wird, und Kontaktschichten. Allerdings ist im Zusammenspiel mit Substraten, Schichten, Dotierung, Kontaktierung und optischer Wellenführung eine komplizierte Heterostruktur aufzubauen, die nur Verfahren zur Abscheidung aus der Gasphase unter Ultrahochvakuum leisten können, wie z.B. die MBE.

MultischichtstrukturMultischichtstruktur: Beispiel einer Multischichtstruktur für eine moderne Laserdiode auf ZnSe-Basis, die im Bereich des blauen Spektrums leuchtet. Alle Schichten sind einkristallin und mittels MBE gewachsen. Zur Überbrückung der Gitterfehlanpassung zwischen GaAs-Substrat und ZnSe sowie zwischen einzelnen Schichtabfolgen sind Anpassungsschichten eingefügt, die die Spannungen innerhalb der Schichten abbauen, dabei aber chemisch, elektrisch und optisch verträglich sein müssen.
 
 

 

 

 
 
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