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MBE

 
     
  Molecular Beam Epitaxy, Molekularstrahlenepitaxie, besondere Kristall-Züchtungsmethode aus der Gasphase (Gasphasenzüchtung). In einem UHV-Rezipienten werden aus Effusionszellen einzelne Atom- oder Molekularstrahlen auf ein Substrat gerichtet. Die dort kondensierenden Schichten sind unter bestimmten Bedingungen einkristallin zu erhalten. Durch die geringe Dichte der Molekularstrahlen sind zwar die Wachstumsgeschwindigkeiten recht niedrig (etwa 1 μm/h), aber durch Verschliessen und Öffnen der Zellen lassen sich glatte, bis zu monoatomar dünne Schichten in unterschiedlichen Reihenfolgen präparieren. Ebenfalls sind scharfe Dotierprofile zu erzeugen. So gelingt die Herstellung von Bauelementen in Multischichtstrukturen, die als Substrat ein Material verwenden, das in hoher kristalliner Perfektion hergestellt werden kann und das die nötige mechanische und thermische Stabilität liefert. Die epitaktisch aufgewachsenen Schichten enthalten als integrierte optische Strukturen die Materialien, die für die Verwendung als Bauelement wesentlich sind, z.B. als Dioden, Halbleiterlaser oder magnetische Speicher. Epitaxie.  
 

 

 

 
 
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